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IRFP140N
2400
2000
V GS
C iss
C rs s
C iss C o ss
=
=
=
=
0V , f = 1 M H z
C g s + C g d , C d s S H O R TE D
C gd
C ds + C g d
20
16
I D = 16 A
V D S = 80 V
V D S = 50 V
V D S = 20 V
1600
12
1200
C oss
8
800
C rss
400
4
FO R TE S T C IR C U IT
0
1
10
100
A
0
0
20
40
S E E FIG U R E 1 3
60 80
100
A
1000
V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , T otal G ate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O P E R A T IO N IN T H IS A R E A L IM ITE D
B Y R D S (o n)
100
10μ s
100
100μ s
T J = 1 75 °C
T J = 2 5°C
10
1m s
T J
10
V G S = 0V
A
1
T C = 25 °C
= 17 5°C
S ing le P u lse
10m s
A
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
1
10
100
1000
4
V S D , S ourc e-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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